近期
，推出ROHM。全新半导体。率M力公司发布了一款全新的和工100V功率。MOSFET
。业电源高——RY7P250BM 。推出这款器材专为48V。全新电源。率M力架构中的和工热插拔。电路规划 。业电源高  ，推出广泛使用于。全新AI。率M力服务器及工业电源
，和工尤其是业电源高在需求电池维护的场合。跟着 。人工智能 。技能的迅猛发展，数据。中心。面临着史无前例的核算需求 ，促进服务器的功耗逐年上升。尤其是生成性。AI技能 。和高功能
 。GPU。的遍及
，进一步加大了对进步电源功率的需求。

为了应对这一趋势，职业正逐渐从传统的12V电源体系向更高效的48V架构转型。在新的电源结构中
，热插拔电路答应在服务器运转的一起安全地替换模块
，这对MOSFET的功能提出了更高的要求
 。需求具有广大的安全作业区(SOA)和低导通电阻 ，以保证可以有用避免涌入。电流。和过载状况的产生 。

RY7P250BM正是为满意这些要求而规划的
。该器材将宽SOA与低导通电阻的优势整合在一个紧凑的8080尺度封装中，然后协助数据中心下降功耗和热办理担负，提高服务器的牢靠性和整体能效。跟着商场对8080尺度MOSFET需求的不断增加 ，RY7P250BM成为现有解决方案的抱负替代品 。

在技能功能方面 ，RY7P250BM供给了广泛的SOA(VDS=48V, Pw=1ms/10ms)，十分合适热插拔使用。此外，其导通电阻高达职业抢先的1.86mΩ(VGS=10V, ID=50A, Tj=25°C)
，这一数值比同尺度的其他100V宽SOA MOSFET的平均水平2.28mΩ低约18% 。这样的功能体现明显减少了功率损耗和热生成，提高了整体能效 。

在AI服务器的热插拔电路中
，广大的SOA显得尤为重要，由于这些体系常常需应对高涌入电流的应战。RY7P250BM规划用于有用处理这些状况，可以接受10ms的16A和1ms的50A，支撑高负载条件
，这在传统MOSFET中往往难以实现。这一特性使得RY7P250BM成为电源规划中不可或缺的组件，尤其在需求高牢靠性和优异功能的使用场景中
。

未来，ROHM方案进一步扩展其48V兼容的电源设备产品线 ，满意服务器和工业使用的需求
。经过这些立异
，ROHM期望可以推进更可继续的ICT基础设施建造，一起为客户供给更高效、更牢靠的电源解决方案。

浮思特。科技。深耕功率器材范畴 ，为客户供给。IGBT。、IPM模块等功率器材以及
 。单片机。(
。MCU。)、接触芯片，是一家具有核心技能的 。电子元器材。供货商和解决方案商 。